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IRFP9140N
3000
2500
V GS
C is s
C rs s
C oss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C gs + C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = -1 1A
V D S = -80V
V D S = -50V
V D S = -20V
2000
C is s
12
1500
1000
500
C os s
C rs s
8
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
A
0
S E E FIG U R E 1 3
A
1
10
100
0
20
40
60
80
100
100
10
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE D
B Y R D S (on)
T J = 175°C
T J = 25°C
10 0μ s
1
10
1m s
T C = 25°C
T J = 175°C
10m s
V G S = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4 1.6
A
1
1
S ingle P uls e
10
100
A
1000
-V S D , S ource-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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